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SPD04P10PLGBTMA1  与  SPD04P10P G  区别

型号 SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10P G
唯样编号 A-SPD04P10PLGBTMA1 A-SPD04P10P G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 38W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 644mΩ
上升时间 - 8.6ns
Qg-栅极电荷 - 12nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 372pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 1.2S
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 4A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 850 毫欧 @ 3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 4.5ns
高度 - 2.3mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 38W
典型关闭延迟时间 - 14ns
FET类型 P 通道 P-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 380uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - SPD04P10
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.2A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
典型接通延迟时间 - 5.7ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SPD04P10PLGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD04P10PL G_P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
SPD04P10P G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD04P10PGBTMA1_100V 4A 644mΩ 20V 38W P-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
SPD04P10PGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD04P10P G_P 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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